太陽光発電用ダイヤモンド砥石

シリコンは硬くて脆い材料に属し、モース硬度は6.5で、用途に応じて多結晶シリコン、単結晶シリコンを作ることができます。

単結晶シリコン (MONocrystal Silicon) は、比較的活性な非金属元素です。 基本的に完全な格子構造を持つ単結晶シリコン (MONocrystal Silicon) は、純度 99.9999% の優れた半導体材料です。 主に半導体デバイスや太陽電池の製造に使用されます。

単結晶シリコンは、通常、多結晶シリコンやアモルファスシリコンを製造した後、その融液から棒状の単結晶シリコンを直接引き上げ法や懸垂帯溶融法で成長させて製造されます。

多結晶シリコンは、元素シリコンの一種です。 溶融した単体シリコンが過冷却状態で固化すると、シリコン原子がダイヤモンド格子状に多数の結晶核に配列されます。 たとえば、これらの結晶は、結晶表面でさまざまな方向の粒子に成長し、これらの粒子が結合して多結晶シリコンに結晶化します。

ポリシリコンは単結晶シリコンの直接の原料であり、人工知能、自動制御、情報処理、光電変換などの半導体デバイスの電子情報基礎材料です。

「マイクロエレクトロニクス棟の礎」と呼ばれています。

加工工程

単結晶シリコンの加工プロセスには、主に、切断、球形化、切断、研削、面取り、研削、化学腐食、研磨などのステップが含まれます。

対照的に、ポリシリコンには切断や球状化のステップがなく、インゴットの準備が完了した後、正方形にカットしてスライスするだけで済みます。

ロッドからチップまでの単結晶シリコンと多結晶シリコンの全製造プロセスでは、さまざまな用途のダイヤモンドツールが処理に参加する必要があり、処理精度は比較的高いです。

単結晶シリコンロッド砥石

単結晶ローラー砥石、一般的なサイズは1A1 300 * 25（35,40）* 127 * 7で、シングルチップとコンビネーションの形です。

高い加工能率と面品位を同時に実現できる多粒度（D120/140、200/230、W40）の複合砥石です。

サポートする工作機械には、Wuxi オンマシン WSK003、Wuxi オープン ソース WX-7321/2 などがあります。

面取りホイール

単結晶シリコン研削面や多結晶シリコン研削面の面取りも大量のダイヤモンド砥石を必要とします。 加工手順は粗研削と微研削に分けられ、ダイヤモンドの粒子サイズは120/140、W40、W28、W20などです。主な寸法は6A2 220 * 65 * 130 * 5 * 5、6Aです。 2 200*60*80*5*5、11A2 100*28(40)*31.75(20)*5*5など

国内の関連機械設備より、表面面取りオールインワン機の一部は、単一の多結晶アークまたは角度、表面研磨です。